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Leonelli, Richard

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  • Téléphone 514-343-7274 Pav. PAVILLON ROGER-GAUDRY \ bur. D-424
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Leonelli, Richard

Expertises de recherche

Lorsqu’un matériau semi-conducteur absorbe un photon, un électron est excité dans la bande de conduction, ce qui laisse un trou dans la bande de valence. L’interaction de Coulomb entre l’électron et le trou génère un état lié appelé exciton, qui contrôle en grande partie les propriétés optiques des semi-conducteurs. Il s’avère de plus que lorsque le milieu est structuré sur une échelle nanométrique, la réponse optique des semi-conducteurs est radicalement modifiée par le confinement quantique. 

Mon programme de recherche est axé sur la dynamique des excitons lorsqu’ils sont créés dans des milieux nanostructurés afin de décrire comment l’énergie est absorbée et redistribuée dans le cadre d’une représentation en termes d’excitations collectives. Quoique de nature fondamentale, ce sujet est intimement lié avec le développement de l’excitonique, un domaine en émergence qui vise à concevoir et fabriquer de meilleurs dispositifs optiques pour des applications allant de l’éclairage au calcul quantique. 

Champs d'expertise

Projets en cours

  • Excitons dans des nanofils à base de nitrures de gallium et d’indium.
  • Émergence de la cohérence quantique spontanée dans des microcavités.
  • Excitons extrêmes dans des monocouches de chalcogénures.

Publications principales

V. Cardin, L.-I. Dion-Bertrand, P. Grégoire, H. P. T. Nguyen, M. Sakowicz, Z. Mi, C. Silva et R. Leonelli, Recombination dynamics in InGaN/GaN nanowire heterostructures on Si(111). Nanotechnology 24, 045702 (2013).

F. Provencher, M. Sakowicz, C.-N. Brosseau, G. Latini, S. Beaupré, M. Leclerc, L. X. Reynolds, S. A. Haque, R. Leonelli et C. Silva, Slow geminate-charge-pair recombination dynamics at polymer:fullerene heterojunctions in efficient organic solar cells. Polymer Physics 50, 1395 (2012)

S. Turcotte, J.-N. Beaudry, R. A. Masut, P. Desjardins, G. Bentoumi et R. Leonelli, Abnormal broadening of the optical transitions in GaAsN/GaAs quantum wells. Phys. Rev. B 85, 033304 (2012).

A. Lévesque, P. Desjardins, R. Leonelli et R. A. Masut, Temperature dependence of the photoluminescence spectra from InAs(P)/InP multilayers containing thick quantum dots. Phys. Rev. B 83, 23530 (2011).

S. Gélinas, K. R. Kirov, C.-N. Brosseau, O. Paré-Labrosse, S. Albert-Seifried, C. R. Mc-Neill, I. A. Howard, R. Leonelli, R. H. Friend et C. Silva,  The binding energy of charge-transfer excitons localised at polymeric semiconductor heterojunctions. J. Phys. Chem. C 115, 7114 (2011).

B. Gosselin, V. Cardin, A. Favron, J. De Jonghe, L.-I. Dion-Bertrand, C. Silva et R. Leonelli, Persistent polarization memory in sexithiophene nanostructures. Phys. Rev. B 83, 041201(R) (2011).

C.-N. Brosseau, M. Perrin, C. Silva et R. Leonelli, Carrier recombination dynamics in InGaN/GaN multiple quantum wells. Phys. Rev. B 82, 085305 (2010). 

G. Gélinas, A. Lanacer, R. Leonelli, R. A. Masut et P. J. Poole, Carrier thermal escape in families of InAs/InP self-assembled quantum dots. Phys. Rev. B 81, 235426 (2010). 

Thèses et mémoires dirigés au département et disponibles dans Papyrus

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