Photoemission electron microscopy to study transition metal dichalcogenides and inhomogeneous semiconductor - Taisuke Ohta (Sandia)
ATTENTION, NOUVELLE SALLE: B-3270 Jean-Brillant
Photoemission electron microscopy as a new tool to study the electronic properties of transition metal dichalcogenides and inhomogeneous semiconductorTaisuke Ohta Center for Integrated Nanotechnologies, Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico, United States
Abstract: to come.
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Cette conférence est présentée par le RQMP Versant Nord du Département de physique de l'Université de Montréal et de Génie physique de la Polytechnique.
Emplacement : 3200, rue Jean-Brillant 3270 Montréal Québec Canada